Одно из ведущих предприятий по разработке, корпусированию и тестированию микроэлектронной продукции
23 Мая 2023

SSD производства GS Nanotech получили обновленное заключение Минпромторга

Центр разработки и производства микроэлектроники GS Nanotech (в составе холдинга GS Group) получил новое заключение Минпромторга о подтверждении производства шести модификаций твердотельных накопителей (SSD) собственной разработки на территории Российской Федерации. Заключение действительно в течение 3 лет.

В реестр отечественной промышленной продукции включены модификации моделей накопителей GSPMA (GSPMA256R16STF, GSPMA512R16STF, GSPMA01TR16STF) и GSPTA (GSPTA256R16STF, GSPTA512R16STF, GSPTA01TR16STF) с интерфейсом SATA III в форм-факторе 2.5” производства GS Nanotech. Они предназначены для использования в рабочих станциях и потребительской электронике. Это первые SSD в реестре промышленной продукции, произведенные на территории РФ.

GS Group реализует первый в России проект по разработке и массовому производству SSD — немеханических запоминающих устройств на основе микросхем памяти с управляющим контроллером — с 2016 года. В феврале 2018 года холдинг запустил массовое производство SSD собственной разработки. Весь производственный цикл SSD от разработки до финальной сборки и упаковки реализует GS Nanotech, производство расположено в инновационном кластере «Технополис GS» в городе Гусеве Калининградской области. Мощности компании позволяют выпускать более 1 млн твердотельных накопителей в год.

В основе SSD использованы произведенные GS Nanotech модули памяти, в составе которых — последнее поколение кристаллов NAND-памяти от ведущих мировых производителей. В линейке компании представлены твердотельные накопители потребительского и корпоративного класса емкостью до 2 ТБ в нескольких форм-факторах с интерфейсами SATA III и PCI Express NVMe.

В реестр промышленной продукции, произведенной на территории РФ, включены модификации моделей SSD:

GSPMA c характеристиками:

  • Форм-фактор: 2.5”
  • Интерфейс: SATA III, 6 Гбит/с
  • Емкость: 256/512/1024 Гбайт
  • Тип памяти: 3D TLC
  • Максимальная скорость последовательного чтения: 530 Мбайт/с
  • Максимальная скорость последовательной записи: 470 Мбайт/с
  • Максимальная скорость случайного чтения: 59 000 IOPS
  • Максимальная скорость случайной записи: 46 000 IOPS
  • Температурный диапазон: 0...+70 °C
  • Ресурс записи (TBW): 130/260/525 Тбайт

GSPTA c характеристиками:

  • Форм-фактор: 2.5”
  • Интерфейс: SATA III, 6 Гбит/с
  • Емкость: 256/512/1024 Гбайт
  • Тип памяти: 3D TLC
  • Максимальная скорость последовательного чтения: 530 Мбайт/с
  • Максимальная скорость последовательной записи: 470 Мбайт/с
  • Максимальная скорость случайного чтения: 59 000 IOPS
  • Максимальная скорость случайной записи: 48 000 IOPS
  • Температурный диапазон: 0...+70 °C
  • Ресурс записи (TBW): 130/260/525 Тбайт