Микросхема памяти SPI NOR Flash

Компания GS Nanotech выпускает микросхемы энергонезависимой памяти NOR Flash с последовательным интерфейсом SPI. В микросхемах NOR Flash осуществляется побайтный доступ к памяти. Такая организация обеспечивает высокую скорость чтения данных и высокую надежность. Микросхемы используются в приложениях для сетевых устройств, кабельных модемах, беспроводных локальных сетях, вычислительной технике, цифровом телевидении, интеллектуальных счетчиках, телевизионных приставках, автомобильной технике и других промышленных приложениях.

Устройство потребляет на более 2 мА в активном состоянии и 1 мкА в режиме низкого энергопотребления.

Структура памяти организована в виде 8 192 программируемых страниц по 256 байт каждая, с возможностью одновременного программирования до 256 байт.

Параметры памяти:

• Объем памяти 16M-бит/2M-байт;
• 256 байт на программируемую страницу.

Параметры SPI:

• Стандартный SPI: CLK, /CS, Dl, DO, /WP, /Hold;
• Dual SPI: CLK, /CS, IO0, IO1, /WP, /Hold;
• Quad SPI: CLK, /CS, IO0, IO1, I02, IO3;
• Эквивалентная частота Dual/Quad SPI 208/416 МГц;
• Скорость непрерывной передачи данных 50 МБ/с;
• Минимум 100 тыс. циклов записи-стирания данных на сектор;
• Более чем 20-летнее хранение данных.
• Структура секторов памяти:
• Посекторное стирание (4K-байт);
• Поблочное стирание (32K и 64K-байт);
• Приостановка и возобновление стирания/программирования.

• Программная и аппаратная защита от записи;
• Блокировка источника питания;
• Специальная защита от записи OTP (Special One Time Programm);
• 64-битный уникальный идентификатор для каждого устройства;
• Регистр параметров обнаружения (SFDP);
• Регистры безопасности 3X256 байт с блокировкой OTP;
• Энергозависимый и энергонезависимый регистр состояния.

• Напряжение питания от 2,3 до 3,6 В;
• Потребление 2 мА в активном режиме, и <1 мкА (типовое) в режиме низкого энергопотребления;
• Рабочий температурный диапазон от -40 до +85 °C.